AIXTRON liefert seine G10-GaN-Plattform an ROHM. Der Halbleiterhersteller baut damit die eigene GaN-Produktion in Japan aus.
Die AIXTRON SE hat eine strategische Produktionspartnerschaft mit dem japanischen Halbleiterkonzern ROHM Semiconductor bekanntgegeben. ROHM werde die G10-GaN-Plattform von AIXTRON nutzen, um am Standort Hamamatsu eine eigene Produktion von GaN-Epitaxiewafern aufzubauen (GaN = Galliumnitrid).
Zum Einsatz kommt das System bei der Serienfertigung von 8-Zoll-GaN-Wafern für Leistungsbauelemente im Bereich von 650 Volt und 100 Volt. Die Bauelemente werden unter anderem in KI-Rechenzentren, Stromversorgungen, Spannungsreglermodulen sowie Anwendungen der Elektromobilität eingesetzt.
Für ROHM bedeute der Schritt einen Strategiewechsel. Bislang wurden die 650-V-GaN-Produkte überwiegend über externe Foundry-Partner gefertigt. Mit dem Aufbau eigener GaN-Epitaxie stärk das Unternehmen nun seine vertikale Integration und gewinnt mehr Kontrolle über Qualität, Produktionsplanung und Lieferketten.
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„Das G10-GaN-System von AIXTRON vereint bewährte Technologie, Skalierbarkeit und einen partnerschaftlichen Ansatz“, betont Yasushi Hamazawa, Executive Officer von ROHM Semiconductor. Die Zusammenarbeit solle dazu beitragen, die Wettbewerbsfähigkeit der eigenen Produkte zu stärken und die steigenden Anforderungen von Kunden aus den Bereichen KI und Automotive zu erfüllen.
Auch AIXTRON-CEO Dr. Felix Grawert wertet die Entscheidung als wichtigen Meilenstein. Die Verlagerung zentraler Produktionsschritte in die eigene Fertigung zeige, wie führende Hersteller ihre Lieferketten für Verbindungshalbleiter absichern und unabhängiger gestalten wollen.
Die Kooperation geht dabei über die reine Lieferung von Produktionsanlagen hinaus. Beide Unternehmen arbeiten nach eigenen Angaben eng bei der Prozessoptimierung sowie der langfristigen Abstimmung ihrer Technologie-Roadmaps zusammen.
Für AIXTRON unterstreicht der Auftrag die starke Position im Markt für Galliumnitrid-(GaN)-Leistungselektronik, der vom Boom bei Künstlicher Intelligenz, Rechenzentren und Elektromobilität profitiert. Branchenprognosen zufolge könnte der weltweite Markt für GaN-Leistungsbauelemente bis 2030 ein Volumen von rund 3 Mrd. USD erreichen.
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